semiconductor-based radiation detector

위의 두 그래프는 PL(Photoluminescene)과 PR (Photoreflectance)을 이용해 측정한 에너지 간격이고, 아래 두 그래프는 NIR (near IR) transmittance를 이용해 측정한 데이터 들이다. 실제로 PL과 PR을 이용해 측정한 데이터가 나머지 두 데이터에 비해 보다 정확한 결과로 간주되고 있다. NIR투과도의 경우, 대략 0.006~0.007 eV의 낮은 에너지 값을 보여주는데 이는 cut-on wavelength을 결정하는 차이에서 발생된다고 사려된다.

Resistivity map of CdZnTe slab taken by contact-less resistivity measurement (CoReMa). Large differences in resistivity along grain boundaries, and vertical and horizontal direction are clearly seen.

Phase diagram of CdMnTe, published by R. Triboulet. CdMnTe has slightly low synthesis temperature than CdZnTe. But, peritectic reaction at 1155 C results in crystals of poor quality, containing cavities, grain boundaries and precipitates of cubic MnTe2. Peritectic reaction is a reaction where a solid phase and liquid phase will together form a second solid phase at a particular temperature and c..

Heel effect는 입사한 열전자가 anode의 target에 충돌해서 X선을 발생시키는데, anode target의 기울기에 의해서 왼쪽 부분을 통해서 발생하는 X선은 오른쪽 보다 더 많은 attenuation을 겪게되어 왼쪽보다 오른쪽의 X선 강도가 더 강하게 나타나는 현상을 의미한다. 또한 아래 그림에서 보듯이 anode target의 기울기에 따라서 focal spot의 크기도 변하게 된다. X선 generator의 용도에 따라서, anode angle을 조절하며, heel effect의 효과에 의한 왼쪽과 오른쪽의 X선 강도 차이 또한 조절할 수 있다.

가끔씩 필요할때가 있다. 꼭 외워두어라.

Capacitance-Voltage measurement gives the information on the depletion width of pn or Schottky detector.

가끔 사람들의 북적함을 느끼고 싶을땐...차를 몰고...타임스퀘어로 나가곤 했었다. 낮보다는 밤이 더 화려한 이곳에서 길을 물으면 십중팔구 대부분의 사람들이 관광객이다. 만약, 누군가가 개를 몰고 다닌다면 이곳에 거주하는 뉴욕커다. ^^

2009년 9월에 다녀온 파리의 모습이다. 1998년도에 같은 곳을 다녀왔지만, 변한건 거의 없었다. 변한건..그때는 필름카메라를 들고 다녔고..지금은 디지털 카메라로 더 많은 곳의 풍경을 담아왔다는것...!! 참 여유롭고 살기 좋은 도시중의 하나임에는 틀림없다.

Scattering by lattice waves: Scattering by lattice waves includes the absorption or emission of either acoustical or optical phonons. Since the density of phonons in a solid increases with temperature, the scattering time due to this mechanism will decrease with temperature as will the mobility. Theoretical calculations reveal that the mobility in non-polar semiconductors, such as silicon and ge..

Optimization of CdMnTe growth condition provides nearly single grain ingot. This ingot was grown by vertical Bridgman method. Every part is single crystal except the tip region.

40-mm diameter CZT single crystal wafer grown by THM. Mobility-lifetime products is .

You need journal abbreviation in reference part. Sometimes you confront unfamiliar journal and trying to find out how can they abbreviated. Here is good site including ISI journals http://www.efm.leeds.ac.uk/~mark/ISIabbr/